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数量:494 |
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规格书 |
IPx081,84N06L3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 50A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 34µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 29nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4900pF @ 30V |
功率 - 最大 | 79W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
P( TOT ) | 79W |
匹配代码 | IPP084N06L3 G |
安装 | THT |
R( THJC ) | 1.9K/W |
LogicLevel | YES |
包装 | TO220-3 |
单位包 | 50 |
标准的提前期 | 100 weeks |
最小起订量 | 500 |
Q(克) | 29nC |
LLRDS (上) | 0.0143Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | 50A |
V( DS ) | 60V |
技术 | OptiMOS |
的RDS(on ) at10V | 0.0081Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 34µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 79W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4900pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 29nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 50 A |
零件号别名 | IPP084N06L3GXKSA1 SP000680838 |
下降时间 | 7 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 37 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IPP084N06 |
RDS(ON) | 8.4 mOhms |
功率耗散 | 79 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 26 ns |
漏源击穿电压 | 60 V |
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